Transistor Mosfet NPN IRFBG30 de 1000V e 3,1A (TO-220)
O Transistor IRFBG30 é um MOSFET de canal NPN com encapsulamento T0-220 não isolado. Esse modelo suporta 1000V e uma carga de até 3,1A em 25 °C sua máxima potencia de dissipação é de 125 Watts.
Para utilizar 100% da potência deste mosfet é necessário mante-lo em uma temperatura de 25ºC, para isso você precisa resfria-lo utilizando dissipador de calor e se necessário um ventilador
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 "IRF1404 - Transistor Mosfet, NPN, 40V/162A (TO220)")
 "IRF8010 - Transistor Mosfet, NPN, 100V/80A (TO-220)")
 "IRFP450 - Transistor Mosfet, NPN, 500V/14A (TO-247)")
 "IRFR110 - Transistor Mosfet, NPN, 100V/4,7A (DPAK)")
